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華測儀器助力耐電痕無鹵阻燃測試

日期:2024-07-09瀏覽:841次

半導體電子環(huán)氧塑封料(EMC)的耐電痕無鹵阻燃測試

目前硅基半導體芯片所使用的封裝材料主要是環(huán)氧塑封料(EMC),對其電學性能的測試除了高低溫介電溫譜(介電常數(shù))、常溫高溫電場強度(電擊穿)及常溫高溫絕緣電阻(體積電阻率)測試以外,耐電痕無鹵阻燃也是非常重要的電學性能指標之一。

電痕是指電應力和電解雜質(zhì)在相互作用下會在材料的表面(或內(nèi)部)產(chǎn)生導電通道。耐局部放電特性和耐電痕絕緣設計對EMC來說十分重要,因為當EMC內(nèi)部出現(xiàn)未填充區(qū)域或空隙時,不僅會導致其絕緣強度下降,還會因為空隙中電荷的集中而產(chǎn)生局部放電,導致EMC性能劣化并對芯片產(chǎn)生破壞。衡量EMC耐電痕特性的指標是相比電痕化指數(shù)(CTI),按照絕緣材料的CTI指標范圍可將其分為5類,只有CTI600VEMC才可應用于功率電子器件的封裝。當然,無論是功率電子器件還是常規(guī)半導體器件,EMC的無鹵阻燃特性是不變的。

北京華測試驗儀器有限公司所生產(chǎn)的HCDH-2耐漏電起痕試驗儀被廣泛應用于半導體、新能源、家用電器等行業(yè),符合GB/T4207、IEC60112、IEC60335UL746A等標準。一體化機身設計,采用10寸觸控屏控制,智能程度高,可實現(xiàn)試驗過程的無人化操作;鉑金電極和全向可調(diào)節(jié)機構(gòu)配合精準的試驗電壓電流(±1%)使得試驗數(shù)據(jù)更加準確。


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