產(chǎn)品型號(hào)：HCYD-800

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

所在地：北京市

更新日期：2024-06-03

產(chǎn)品簡介：

壓電陶瓷靜態(tài)壓電常數(shù)測(cè)試儀

一、壓電陶瓷靜態(tài)壓電常數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品簡介：

       可以分析被測(cè)樣品D33常數(shù)隨溫度、頻率、時(shí)間變化的曲線。通過軟件將這些變化曲線的溫度譜、時(shí)間譜等集成一體并進(jìn)行分析測(cè)量并可以直接得出樣品的壓電溫譜圖。對(duì)試樣大小及形狀無特殊要求，圓片、圓環(huán)、圓管、方塊、長條、柱形及半球殼等均可測(cè)量。

      HCYD-800壓電陶瓷靜態(tài)壓電常數(shù)測(cè)試儀可測(cè)量壓電陶瓷的介電常數(shù)、居里溫度、熱釋電系數(shù)、縱向壓電應(yīng)變常數(shù)d33、機(jī)電耦合系數(shù)等參數(shù),它是一款壓電材料測(cè)試裝置。

二、壓電陶瓷靜態(tài)壓電常數(shù)測(cè)試儀壓電陶瓷：

 壓電陶瓷是一類具有壓電特性的電子陶瓷材料。與典型的不包含鐵電成分的壓電石英晶體的主要區(qū)別是： 構(gòu)成其主要成分的晶相都是具有鐵電性的晶粒。 由于陶瓷是晶粒隨機(jī)取向的多晶聚集體，因此其中各個(gè)鐵電晶粒的自發(fā)極化矢量也是混亂取向的.。為了使陶瓷能表現(xiàn)出宏觀的壓電特性，就必須在壓電陶瓷燒成并于端面被復(fù)電極之后，將其置于強(qiáng)直流電場(chǎng)下進(jìn)行極化處理，以使原來混亂取向的各自發(fā)極化矢量沿電場(chǎng)方向擇優(yōu)取向。經(jīng)過極化處理后的壓電陶瓷，在電場(chǎng)取消之后，會(huì)保留一定的宏觀剩余極化強(qiáng)度，從而使陶瓷具有了一定的壓電性質(zhì)。

三、壓電陶瓷靜態(tài)壓電常數(shù)測(cè)試儀參考標(biāo)準(zhǔn)：
GB3389.4-82《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 縱向壓電應(yīng)變常數(shù)d33的靜態(tài)測(cè)試》

GB/T3389.5-1995《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 圓片厚度伸縮振動(dòng)模式》

GB3389.4-1982《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 柱體縱向長度伸縮振動(dòng)模式》

GB/T 3389.7-1986《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 強(qiáng)場(chǎng)介電性能的測(cè)試》

GB/T3389.8-1986《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 熱釋電系數(shù)的測(cè)試》

四、壓電陶瓷靜態(tài)壓電常數(shù)測(cè)試儀參數(shù)規(guī)格：

測(cè)量溫度：室溫~650℃；

控溫精度：±1℃，測(cè)溫精度：±0.1℃；

升溫斜率：1-5℃/min（可控）；

降溫斜率：1-5℃/min（可控）；

縱向壓電系數(shù)d33測(cè)試范圍：

高范圍：10 to 4000pC/N，

              精度±2%±1pC/N，負(fù)載1.0uF；

低范圍：1 to 100pC/N，

              精度±2%±0.1pC/N，負(fù)載1.0uF；

頻率范圍：10Hz to 2MHz ，步進(jìn)：1Hz，

極性顯示：正負(fù)

施加力范圍0.1~0.4N

響應(yīng)時(shí)間：5s to 1%

樣品:φ<50mm；

儀器優(yōu)點(diǎn)：

■采用RAM嵌入式開發(fā)平臺(tái)

■可以進(jìn)行在線升級(jí)、遠(yuǎn)程協(xié)助及故障診斷；

■ 集成10.1"電容觸摸寬屏顯示，軟件操作流暢，體驗(yàn)感好；

■ 高溫爐、測(cè)量夾具、顯示及軟件集成于一體

■ 測(cè)量精度會(huì)高，儀器穩(wěn)定且易維護(hù)；

■ 實(shí)現(xiàn)常溫、高溫、真空、流動(dòng)氣氛等多環(huán)境下測(cè)試

壓電模塊測(cè)試功能：

電容-電壓曲線、損耗曲線；

壓電性能測(cè)試（蝴蝶曲線、d33曲線）；

熱釋電性能測(cè)試；

e31、h31測(cè)試；

靜態(tài)加載力條件下的測(cè)試；

測(cè)試范圍（D33）：2至4000pC/N；

測(cè)試頻率：20HZ-10M；

測(cè)試精度：0.05%；

測(cè)量參數(shù)：Cp/Cs、Lp/Ls、Rp/Rs、|Z|、|Y|、R、X、G、B、θ、D、Q、Vac、Lac；

施力裝置：約4kg。