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2020-08-25
測量鐵電材料電滯回線的方法通常有兩種：沖擊檢流計描點法和Sawyer-Tower電路法。第二種方法可用超低頻示波器進行觀察以及用xy函數(shù)記錄儀進行記錄，簡便迅速，故人們常常采用。采用Sawyer-Tower電路準靜態(tài)測試鐵電陶瓷材料電滯回線的測量原理圖（GB/T6426-1999）如圖4.5-30所示，系統(tǒng)絕緣電阻不小于108Ω，超低頻高壓源輸出電壓峰值為0~5KV、頻率為0.1Hz的正弦波。運算放大器輸入阻抗不小于109Ω。標準電容器Co的直流電阻不小于109Ω，一般容量為...2020-08-24
一、主要特點:1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進行電弱點的測試，測試寬度可根據(jù)用戶的要求而設定，無須將膜分切成小卷，免除了許多外來因素對測試結果的影響。2、測試數(shù)據(jù)能真實地反映薄膜的質量水平。3、主要元器件均選用品牌(如歐姆龍，美信，ABB等)，有效地保證了設備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。4、測量，復現(xiàn)性好。5、測試過程采用電子技術全自動控制，遇到電弱點時電壓切斷動作迅速。6、擊穿電流在0～40mA連續(xù)可調，復現(xiàn)性好。7、多重保護功能，充分考慮了操作人員及設備的安全性。8、過壓、過流、...2020-08-21
在光電子學及其它高技術的發(fā)展中，薄膜材料占有重要的地位。鐵電薄膜具有電光效應、非線性光學效應、壓電效應和熱釋電效應等多種特性，又具有便于平面化和集成化的特點，因而特別受到人們的重視。現(xiàn)在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO3(PT)、Pb1-xLaTi1-x/4O3(PLT)、PZT、PLZT、LiNbO3、Bi4Ti3O12和BaTiO3。制備方法有電子束蒸鍍、離子束濺射、射頻磁控濺射、射頻二極濺射、金屬有機化學氣相淀積和金屬有機熱分解法等。為了充分發(fā)掘鐵電薄膜的功能，希望薄膜是...2020-08-20
臨界負溫熱敏材料以VO2為基本成分的多晶半導體材料，在68℃附近電阻值發(fā)生突變，在狹小的溫區(qū)內，電阻值隨溫度的增加而降低3~4個數(shù)量級，具有很大的負溫度系數(shù)。阻值突變的溫度稱為臨界溫度Tc，不同的材料其臨界溫度Tc不同，如V2O3的臨界溫度為-100℃，F(xiàn)e304為-150℃，VO2為68℃，Ti305為175℃，V305為140℃。Tc可以通過摻入適當?shù)碾s質提高或降低，如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間，摻入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在臨界...2020-08-20
PTC熱敏陶瓷1950年荷蘭Hayman等人，在BaTiO3材料中摻入微量元素，如Sb，La，Sm,Gd,Ho等，其常溫電阻率下降到10-2~104cm。與此同時當溫度超過材料的居里溫度，在幾十度溫度范圍內，其電阻率增大4~10個數(shù)量級，即產生所謂PTC效應。BaTiO3是一種典型的鈣鈦礦結構。BaTiO3系半導體陶瓷的制造方法與一般的電子陶瓷材料基本相同。只是對原材料的純度、摻雜成分的均勻性及工藝過程的控制有較高的要求。持別是BaTiO3半導體陶瓷與金屬銀電極的接觸面電阻可...2020-08-19
半導體的導電，主要是由電子和空穴造成的。溫度增加，使電子動能增大，造成晶體中自由電子和空穴數(shù)目增加，因而使電導率升高。通常情況下電導率與溫度的關系為電阻率與溫度的關系為式中，B為與材料有關的常數(shù)，表示材料的電導活化能。某些材料的B值很大，它在感受微弱溫度變化時電阻率的變化十分明顯。有一類半導體陶瓷材料，在特定的溫度附近電阻率變化顯著。如“摻雜”的BaTiO3(添加稀土金屬氧化物)在其居里點附近，當發(fā)生相變時電阻率劇增103~106數(shù)量級。利用半導體陶瓷的電阻值對溫度的敏感特性...